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RFD15P05

RFD15P05

참조 용

부품 번호 RFD15P05
PNEDA 부품 번호 RFD15P05
설명 MOSFET P-CH 50V 15A I-PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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RFD15P05 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RFD15P05
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RFD15P05, RFD15P05 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 399.71 KB)
PDFRFP15P05 데이터 시트 표지
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RFD15P05 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs150mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs150nC @ 20V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1150pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)80W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지I-PAK
패키지 / 케이스TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 125A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

900nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

31000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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ISOTOP

IRFU120NPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

210mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

2SK3711

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

130W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

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SSM3K376R,LF

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+12V, -8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

132nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5710pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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