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RGF1JHE3/67A

RGF1JHE3/67A

참조 용

부품 번호 RGF1JHE3/67A
PNEDA 부품 번호 RGF1JHE3-67A
설명 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,370
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RGF1JHE3/67A 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGF1JHE3/67A
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
RGF1JHE3/67A, RGF1JHE3/67A 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 76.28 KB)
PDFRGF1M-7000HE3/5CA 데이터 시트 표지
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  • RGF1JHE3/67A Distributor

RGF1JHE3/67A 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈SUPERECTIFIER®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)250ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F8.5pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214BA
공급자 장치 패키지DO-214BA (GF1)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

240A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 240A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

AIDW20S65C5XKSA1

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제조업체

Infineon Technologies

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다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

20A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 20A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

120µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

584pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3-41

작동 온도-접합

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60CPQ150

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

830mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

820pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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