RGP30MHE3/73
참조 용
| 부품 번호 | RGP30MHE3/73 |
| PNEDA 부품 번호 | RGP30MHE3-73 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,946 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RGP30MHE3/73 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RGP30MHE3/73 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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RGP30MHE3/73 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | SUPERECTIFIER® |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1000V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 3A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 500ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 1000V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-201AD, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-201AD |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 SMB 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 700mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 T-18, Axial 공급자 장치 패키지 TS-1 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 2.1A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 920mV @ 1.5A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.2µs 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 37pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 85A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 85A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -65°C ~ 180°C |
