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RGT50NS65DGC9

RGT50NS65DGC9

참조 용

부품 번호 RGT50NS65DGC9
PNEDA 부품 번호 RGT50NS65DGC9
설명 IGBT
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 14,958
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RGT50NS65DGC9 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGT50NS65DGC9
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • RGT50NS65DGC9 Distributor

RGT50NS65DGC9 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)48A
전류-수집기 펄스 (Icm)75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
전력-최대194W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C27ns/88ns
테스트 조건400V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)58ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지TO-262

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

전력-최대

198W

에너지 전환

1.9mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

130nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/580ns

테스트 조건

800V, 15A, 33Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

65ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IRGB30B60KPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

전력-최대

370W

에너지 전환

350µJ (on), 825µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/185ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IXBH16N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 16A

전력-최대

250W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

72nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.32µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

전력-최대

600W

에너지 전환

1.3mJ (on), 370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/80ns

테스트 조건

400V, 36A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

120ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

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