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RGTH60TS65GC11

RGTH60TS65GC11

참조 용

부품 번호 RGTH60TS65GC11
PNEDA 부품 번호 RGTH60TS65GC11
설명 IGBT 650V 58A 197W TO-247N
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
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RGTH60TS65GC11 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGTH60TS65GC11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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RGTH60TS65GC11 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)58A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
전력-최대197W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지58nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C27ns/105ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247N

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Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 45A

전력-최대

297.6W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

58ns/131ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

FGH60N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

320A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

625W

에너지 전환

400µJ (on), 310µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/70ns

테스트 조건

390V, 40A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG4PC40KPBF

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전류-수집기 펄스 (Icm)

84A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

전력-최대

160W

에너지 전환

620µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/140ns

테스트 조건

480V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

HGTP12N60C3D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

전력-최대

104W

에너지 전환

380µJ (on), 900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

48nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Renesas Electronics America

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

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전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

10V @ 26V, 200A

전력-최대

30W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/100ns

테스트 조건

300V, 200A, 30Ohm, 26V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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