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RJH1BG7RDPK-00#T0

RJH1BG7RDPK-00#T0

참조 용

부품 번호 RJH1BG7RDPK-00#T0
PNEDA 부품 번호 RJH1BG7RDPK-00-T0
설명 IGBT 1100V 60A 250W TO247
제조업체 Renesas Electronics America
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RJH1BG7RDPK-00#T0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH1BG7RDPK-00#T0
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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RJH1BG7RDPK-00#T0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형-
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 28A

전력-최대

250W

에너지 전환

2.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

92nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/210ns

테스트 조건

960V, 28A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 75A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

전력-최대

100W

에너지 전환

200µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/100ns

테스트 조건

400V, 8A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

86ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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D2PAK

STGP3HF60HD

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

전력-최대

38W

에너지 전환

19µJ (on), 12µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/60ns

테스트 조건

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

85ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

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400V, 4A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

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