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RJH1CV5DPK-00#T0

RJH1CV5DPK-00#T0

참조 용

부품 번호 RJH1CV5DPK-00#T0
PNEDA 부품 번호 RJH1CV5DPK-00-T0
설명 IGBT 1200V 50A 245W TO-3P
제조업체 Renesas Electronics America
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RJH1CV5DPK-00#T0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH1CV5DPK-00#T0
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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RJH1CV5DPK-00#T0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 25A
전력-최대245W
에너지 전환1.9mJ (on), 1.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지72nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C42ns/105ns
테스트 조건600V, 25A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)170ns
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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IXYS

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BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

37A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 15A

전력-최대

300W

에너지 전환

9.15mJ (on), 1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

267nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/455ns

테스트 조건

1500V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

706ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

STGD3NB60SD-1

STMicroelectronics

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PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 3A

전력-최대

48W

에너지 전환

1.1mJ (on), 1.15mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

125µs/3.4µs

테스트 조건

480V, 3A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

IXBH2N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

13A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 2A

전력-최대

32W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

10.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

920ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

IHW30N135R3FKSA1

Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1350V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 30A

전력-최대

349W

에너지 전환

1.93mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

263nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/337ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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에너지 전환

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63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/400ns

테스트 조건

800V, 20A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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