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RJH65D27BDPQ-A0#T2

RJH65D27BDPQ-A0#T2

참조 용

부품 번호 RJH65D27BDPQ-A0#T2
PNEDA 부품 번호 RJH65D27BDPQ-A0-T2
설명 IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
제조업체 Renesas Electronics America
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RJH65D27BDPQ-A0#T2 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH65D27BDPQ-A0#T2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
RJH65D27BDPQ-A0#T2, RJH65D27BDPQ-A0#T2 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 582.3 KB)
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RJH65D27BDPQ-A0#T2 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.65V @ 15V, 50A
전력-최대375W
에너지 전환1mJ (on), 1.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지175nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/165ns
테스트 조건400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)80ns
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247A

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 펄스 (Icm)

800A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 160A

전력-최대

940W

에너지 전환

3.5mJ (on), 1.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

422nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/197ns

테스트 조건

400V, 80A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

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제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

전력-최대

190W

에너지 전환

290µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

70nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/70ns

테스트 조건

400V, 24A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

IXEH40N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 40A

전력-최대

300W

에너지 전환

6.1mJ (on), 3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 40A, 39Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-247AD

STGP10NB37LZ

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

440V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 4.5V, 10A

전력-최대

125W

에너지 전환

2.4mJ (on), 5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1.3µs/8µs

테스트 조건

328V, 10A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

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에너지 전환

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입력 유형

Standard

게이트 차지

470nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

33ns/330ns

테스트 조건

400V, 75A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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