RJK1576DPA-00#J5A
참조 용
| 부품 번호 | RJK1576DPA-00#J5A |
| PNEDA 부품 번호 | RJK1576DPA-00-J5A |
| 설명 | MOSFET N-CH 150V WPAK |
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,454 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RJK1576DPA-00#J5A 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RJK1576DPA-00#J5A |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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RJK1576DPA-00#J5A 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 150V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 12.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 65W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | WPAK(3F) (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1587pF @ 16V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 178W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 139nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6807pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.9W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 160nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7700pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2100pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 278W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
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