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RJK4002DPP-M0#T2

RJK4002DPP-M0#T2

참조 용

부품 번호 RJK4002DPP-M0#T2
PNEDA 부품 번호 RJK4002DPP-M0-T2
설명 MOSFET N-CH 400V 3A TO220
제조업체 Renesas Electronics America
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RJK4002DPP-M0#T2 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJK4002DPP-M0#T2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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RJK4002DPP-M0#T2 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6nC @ 100V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds165pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)20W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220FL
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-6

패키지 / 케이스

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TN0110N3-G-P002

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-92-3

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

NTD15N06L-001

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 7.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

440pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta), 48W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPD50R950CEAUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

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150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

114A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 57A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.6V @ 160µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4700pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

214W (Tc)

작동 온도

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