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RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

참조 용

부품 번호 RJU4352SDPE-00#J3
PNEDA 부품 번호 RJU4352SDPE-00-J3
설명 DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 3,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RJU4352SDPE-00#J3 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJU4352SDPE-00#J3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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RJU4352SDPE-00#J3 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)430V
전류-평균 정류 (Io)20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.8V @ 20A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)25ns
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 430V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-83
공급자 장치 패키지4-LDPAK
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.45V @ 628A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

15mA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AC, DO-30, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AC (DO-30)

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

340pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

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TO-220-2

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Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

600mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 600mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

SGL41-20-E3/1

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

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12pF @ 4V, 1MHz

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Surface Mount

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