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RL207-TP

RL207-TP

참조 용

부품 번호 RL207-TP
PNEDA 부품 번호 RL207-TP
설명 DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15
제조업체 Micro Commercial Co
단가 견적 요청
재고 있음 3,006
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RL207-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RL207-TP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
RL207-TP, RL207-TP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 229.01 KB)
PDFRL207-AP 데이터 시트 표지
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RL207-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 2A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F20pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지DO-15
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

125V

전류-평균 정류 (Io)

150mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1nA @ 125V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA

공급자 장치 패키지

DO-213AA

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SE15PB-M3/84A

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

900ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

9.5pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

SRA860 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S1BL MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

CUS521,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

26pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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