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RLZTE-1130C

RLZTE-1130C

참조 용

부품 번호 RLZTE-1130C
PNEDA 부품 번호 RLZTE-1130C
설명 DIODE ZENER 28.4V 500MW LLDS
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,354
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RLZTE-1130C 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RLZTE-1130C
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
RLZTE-1130C, RLZTE-1130C 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 820.02 KB)
PDFRLZTE-1120B 데이터 시트 표지
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RLZTE-1130C 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)28.4V
공차±3%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)55 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr200nA @ 23V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지LLDS

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제조업체

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전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±2%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

3 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 4.92V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

D-5A

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 7.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

47V

공차

±20%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 33.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

BZX84B18-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±2%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 12.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1N935B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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