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RLZTE-114.7C

RLZTE-114.7C

참조 용

부품 번호 RLZTE-114.7C
PNEDA 부품 번호 RLZTE-114-7C
설명 DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,984
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RLZTE-114.7C 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RLZTE-114.7C
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
RLZTE-114.7C, RLZTE-114.7C 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 820.02 KB)
PDFRLZTE-1120B 데이터 시트 표지
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RLZTE-114.7C 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)4.7V
공차±3%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)25 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지LLDS

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33V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 25.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

BZM55C43-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

600 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 33V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

MicroMELF

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

50 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 27.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

250nA @ 160V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

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Axial

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