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RM25C512C-LSNI-B

RM25C512C-LSNI-B

참조 용

부품 번호 RM25C512C-LSNI-B
PNEDA 부품 번호 RM25C512C-LSNI-B
설명 IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC
제조업체 Adesto Technologies
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RM25C512C-LSNI-B 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RM25C512C-LSNI-B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
RM25C512C-LSNI-B, RM25C512C-LSNI-B 데이터 시트 (총 페이지: 32, 크기: 2,345.81 KB)
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RM25C512C-LSNI-B 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈Mavriq™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷CBRAM®
기술CBRAM
메모리 크기512kb (128B Page Size)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지100µs, 5ms
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

144Kb (8K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

IS61LPS25636A-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

TE28F256P30T95A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

95ns

접근 시간

95ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

IDT71T75602S200PFI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.2ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

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TDK-EPCOS

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