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RM25C64C-LTAI-B

RM25C64C-LTAI-B

참조 용

부품 번호 RM25C64C-LTAI-B
PNEDA 부품 번호 RM25C64C-LTAI-B
설명 IC CBRAM 64K SPI 10MHZ 8TSSOP
제조업체 Adesto Technologies
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RM25C64C-LTAI-B 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RM25C64C-LTAI-B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
RM25C64C-LTAI-B, RM25C64C-LTAI-B 데이터 시트 (총 페이지: 31, 크기: 2,319.81 KB)
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RM25C64C-LTAI-B 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈Mavriq™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷CBRAM®
기술CBRAM
메모리 크기64kb (32B Page Size)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지100µs, 5ms
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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Microchip Technology

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메모리 유형

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FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-miniBGA (6x8)

IS43TR16512AL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-LFBGA

공급자 장치 패키지

96-LFBGA (10x14)

93LC86A-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

DS1230YP-100+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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