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RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

참조 용

부품 번호 RN1103CT(TPL3)
PNEDA 부품 번호 RN1103CT-TPL3
설명 TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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RN1103CT(TPL3) 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RN1103CT(TPL3)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
RN1103CT(TPL3), RN1103CT(TPL3) 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 186.88 KB)
PDFRN1106CT(TPL3) 데이터 시트 표지
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  • RN1103CT(TPL3) Distributor

RN1103CT(TPL3) 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
저항-베이스 (R1)22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환-
전력-최대50mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지CST3

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ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

260MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

VMT3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

SC-75

DDTA144WE-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

SOT-523

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

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