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RN1104MFV,L3F(CT

RN1104MFV,L3F(CT

참조 용

부품 번호 RN1104MFV,L3F(CT
PNEDA 부품 번호 RN1104MFV-L3F-CT
설명 NPN BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOHM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RN1104MFV 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RN1104MFV,L3F(CT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

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  • RN1104MFV,L3F(CT Price
  • RN1104MFV,L3F(CT Distributor

RN1104MFV 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
저항-베이스 (R1)-
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환-
전력-최대-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

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50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

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100mA

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50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

2.2 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SC-59-3

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Diodes Incorporated

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

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50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

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-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

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500nA (ICBO)

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