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RN1418,LF

RN1418,LF

참조 용

부품 번호 RN1418,LF
PNEDA 부품 번호 RN1418-LF
설명 NPN BRT Q1BSR47KOHM Q1BER10KOHM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 5,868
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RN1418 리소스

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RN1418 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
저항-베이스 (R1)-
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환-
전력-최대-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

500mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

100 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

100 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

80MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

SSSMini3-F1

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SMT3; MPAK

DDTA114TCA-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

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250MHz

전력-최대

200mW

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