RN1427TE85LF
참조 용
| 부품 번호 | RN1427TE85LF |
| PNEDA 부품 번호 | RN1427TE85LF |
| 설명 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,330 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RN1427TE85LF 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RN1427TE85LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 |
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RN1427TE85LF 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 800mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| 저항-베이스 (R1) | 2.2 kOhms |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | 10 kOhms |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 500nA |
| 주파수-전환 | 300MHz |
| 전력-최대 | 200mW |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | S-Mini |
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