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RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

참조 용

부품 번호 RN1906(T5L,F,T)
PNEDA 부품 번호 RN1906-T5L-F-T
설명 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,438
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RN1906(T5L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RN1906(T5L,F,T)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
RN1906(T5L, RN1906(T5L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 460.73 KB)
PDFRN1906 데이터 시트 표지
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  • RN1906(T5L,F,T) Distributor

RN1906(T5L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
주파수-전환250MHz
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-666

PBLS4003Y,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V, 40V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

300MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

220Ohms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

200MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

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패키지 / 케이스

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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