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RN2904FE,LF

RN2904FE,LF

참조 용

부품 번호 RN2904FE,LF
PNEDA 부품 번호 RN2904FE-LF
설명 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 31,182
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RN2904FE 리소스

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RN2904FE 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환200MHz
전력-최대100mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지ES6

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ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

2.2kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

8 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

DMC564030R

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

SMini6-F3-B

EMF22T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V, 12V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz, 320MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

EMT6

PUMH4,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

EMD59T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

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전력-최대

150mW

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