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RN2966FE(TE85L,F)

RN2966FE(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 RN2966FE(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 RN2966FE-TE85L-F
설명 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 5,868
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RN2966FE(TE85L 리소스

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RN2966FE(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
주파수-전환200MHz
전력-최대100mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지ES6

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

500mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

DMA566050R

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

SMini6-F3-B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V, 20V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA, 100nA

주파수-전환

100MHz

전력-최대

1.5W

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

HD1A3M(0)-T1-AZ

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

저항-베이스 (R1)

1kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

1kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

-

전력-최대

2W

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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RN1602(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

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100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

300mW

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