RQ3E100MNTB1
참조 용
| 부품 번호 | RQ3E100MNTB1 |
| PNEDA 부품 번호 | RQ3E100MNTB1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 21,606 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 10 - 1월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RQ3E100MNTB1 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RQ3E100MNTB1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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RQ3E100MNTB1 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.9nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 520pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-HSMT (3.2x3) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 13pF @ 5V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 EMT3 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 |
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