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RRH140P03TB1

RRH140P03TB1

참조 용

부품 번호 RRH140P03TB1
PNEDA 부품 번호 RRH140P03TB1
설명 MOSFET P-CH 30V 14A SOP8
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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RRH140P03TB1 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RRH140P03TB1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RRH140P03TB1, RRH140P03TB1 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 1,826.55 KB)
PDFRRH140P03TB1 데이터 시트 표지
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  • RRH140P03TB1 Distributor

RRH140P03TB1 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs80nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8000pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)650mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOP
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 25A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

400mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

AOW2502

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta), 106A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3010pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.2W (Ta), 277W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-262

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FQPF9N90C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2730pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

68W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

DMN2400UFB4-7R

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

FDMC86244

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제조업체

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시리즈

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드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A (Ta), 9.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

134mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

345pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 26W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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