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RRU1LAM4STR

RRU1LAM4STR

참조 용

부품 번호 RRU1LAM4STR
PNEDA 부품 번호 RRU1LAM4STR
설명 DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 23,994
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RRU1LAM4STR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RRU1LAM4STR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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RRU1LAM4STR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 800mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)400ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-128
공급자 장치 패키지PMDTM
작동 온도-접합150°C (Max)

관심을 가질만한 제품

CDBJFSC5650-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 5A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

430pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

BYG22B-E3/TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

183NQ100

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

180A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 180A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4.5mA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

4150pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67 HALF-PAK

공급자 장치 패키지

HALF-PAK

작동 온도-접합

-

RGF1KHE3/5CA

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

8.5pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214BA

공급자 장치 패키지

DO-214BA (GF1)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

IDW20G65C5BXKSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

180µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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