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RS1BHE3/61T

RS1BHE3/61T

참조 용

부품 번호 RS1BHE3/61T
PNEDA 부품 번호 RS1BHE3-61T
설명 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,622
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RS1BHE3/61T 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RS1BHE3/61T
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
RS1BHE3/61T, RS1BHE3/61T 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 84.23 KB)
PDFRS1KHE3/61T 데이터 시트 표지
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  • RS1BHE3/61T Distributor

RS1BHE3/61T 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)150ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

60ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-85

공급자 장치 패키지

SMini3-F2

작동 온도-접합

150°C (Max)

MBRB40250TG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SWITCHMODE™

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

250V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

970mV @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 250V

커패시턴스 @ Vr, F

500pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

HCR4148MTXV

TT Electronics/Optek Technology

제조업체

TT Electronics/Optek Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

2.8pF @ 1.5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

3-SMD

작동 온도-접합

-65°C ~ 200°C

IDV05S60CXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 5A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

70µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

240pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

PG-TO220-2 Full Pack

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

MBRH12035

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

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D-67

작동 온도-접합

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