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RS1DFS MWG

RS1DFS MWG

참조 용

부품 번호 RS1DFS MWG
PNEDA 부품 번호 RS1DFS-MWG
설명 DIODE
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 58,998
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RS1DFS MWG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RS1DFS MWG
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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RS1DFS MWG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)150ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F7pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-128
공급자 장치 패키지SOD-128
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

70V

전류-평균 정류 (Io)

15mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

410mV @ 1mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

CLS01,LFJFQ(O

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

0.47V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

530pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

L-FLAT™

공급자 장치 패키지

L-FLAT™ (4x5.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

UGF8JD C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.3V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

ITO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

DSEI30-12A

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

26A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.55V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

60ns

전류-역방향 누설 @ Vr

750µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247AD

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

1N645-1E3

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

225V

전류-평균 정류 (Io)

400mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 400mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 225V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

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