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RS1GLHRVG

RS1GLHRVG

참조 용

부품 번호 RS1GLHRVG
PNEDA 부품 번호 RS1GLHRVG
설명 DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 8,748
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RS1GLHRVG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RS1GLHRVG
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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RS1GLHRVG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)800mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 800mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)150ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

330pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

420mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

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Rohm Semiconductor

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

650pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

120ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

55pF @ 4V, 1MHz

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