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RS1JHM2G

RS1JHM2G

참조 용

부품 번호 RS1JHM2G
PNEDA 부품 번호 RS1JHM2G
설명 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 3,744
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RS1JHM2G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RS1JHM2G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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RS1JHM2G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)250ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

작동 온도-접합

150°C (Max)

VS-EBU15006HF4

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.63V @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

8µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

PowerTab®

공급자 장치 패키지

PowerTab®

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

BYC5-600PQ

WeEn Semiconductors

제조업체

WeEn Semiconductors

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.3V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

R9G22412CSOO

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2400V

전류-평균 정류 (Io)

1200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.3V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4µs

전류-역방향 누설 @ Vr

75mA @ 2400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AB, B-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AB, B-PUK

작동 온도-접합

-

AU3PK-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1.4A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.5V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

42pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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