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RS1M

RS1M

참조 용

부품 번호 RS1M
PNEDA 부품 번호 RS1M
설명 DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 251,202
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RS1M 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RS1M
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
RS1M, RS1M 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 214.31 KB)
PDFRS1K 데이터 시트 표지
RS1K 데이터 시트 페이지 2 RS1K 데이터 시트 페이지 3 RS1K 데이터 시트 페이지 4 RS1K 데이터 시트 페이지 5

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RS1M 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)500ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지SMA (DO-214AC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

1N4007GP-E3/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

VSKE320-12

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

320A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

3-MAGN-A-PAK™

공급자 장치 패키지

MAGN-A-PAK®

작동 온도-접합

-

FR70D02

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

70A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 70A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

B140-M3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

520mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

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