RS3JHE3_A/I
참조 용
부품 번호 | RS3JHE3_A/I |
PNEDA 부품 번호 | RS3JHE3_A-I |
설명 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 5,238 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RS3JHE3_A/I 리소스
브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | RS3JHE3_A/I |
분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
데이터 시트 |
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RS3JHE3_A/I 사양
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
다이오드 유형 | Standard |
전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
전류-평균 정류 (Io) | 3A |
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 2.5A |
속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
역 복구 시간 (trr) | 250ns |
전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 600V |
커패시턴스 @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | DO-214AB, SMC |
공급자 장치 패키지 | DO-214AB (SMC) |
작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 HEXFRED® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 4.1V @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 170ns 전류-역방향 누설 @ Vr 40µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-2 공급자 장치 패키지 TO-247AC Modified 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |