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RSF014N03TL

RSF014N03TL

참조 용

부품 번호 RSF014N03TL
PNEDA 부품 번호 RSF014N03TL
설명 MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
제조업체 Rohm Semiconductor
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RSF014N03TL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RSF014N03TL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RSF014N03TL, RSF014N03TL 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 2,186.14 KB)
PDFRSF014N03TL 데이터 시트 표지
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  • RSF014N03TL Distributor

RSF014N03TL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2nC @ 5V
Vgs (최대)20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds70pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)800mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TUMT3
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®, StrongIRFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

49A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.95mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

111nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7330pF @ 13V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-PQFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

TN0104N8-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

3V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

70pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-243AA (SOT-89)

패키지 / 케이스

TO-243AA

RSS125N03TB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 5V

Vgs (최대)

20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1670pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOP

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STI6N80K5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH5™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (최대)

30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

255pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

85W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK (TO-262)

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

RQ3L090GNTB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.9mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 300µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1260pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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