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RSFJLHM2G

RSFJLHM2G

참조 용

부품 번호 RSFJLHM2G
PNEDA 부품 번호 RSFJLHM2G
설명 DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 2,520
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RSFJLHM2G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RSFJLHM2G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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RSFJLHM2G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)500mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 500mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)250ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F4pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

ESC

작동 온도-접합

125°C (Max)

CMH05A(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-128

공급자 장치 패키지

M-FLAT (2.4x3.8)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

SR204 R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

LXA10T600

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

Qspeed™

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

23ns

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

150°C (Max)

IRD3911

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 62.8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

350ns

전류-역방향 누설 @ Vr

80µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

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