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RSL020P03FRATR

RSL020P03FRATR

참조 용

부품 번호 RSL020P03FRATR
PNEDA 부품 번호 RSL020P03FRATR
설명 4V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPONDS
제조업체 Rohm Semiconductor
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RSL020P03FRATR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RSL020P03FRATR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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RSL020P03FRATR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs120mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.9nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds350pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1W (Ta)
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TUMT6
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads

관심을 가질만한 제품

FQPF6N60C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

810pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

FQD3N60TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMT69M8LPS-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.2A (Ta), 70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1925pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 113W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IPA70R750P7SXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ P7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

750mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 70µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 400V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

306pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

21.2W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220 Full Pack

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

FDD4141-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.8A (Ta), 50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2775pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta), 69W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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