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RSY160P05TL

RSY160P05TL

참조 용

부품 번호 RSY160P05TL
PNEDA 부품 번호 RSY160P05TL
설명 MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 21,600
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RSY160P05TL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RSY160P05TL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RSY160P05TL, RSY160P05TL 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 173.32 KB)
PDFRSY160P05TL 데이터 시트 표지
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RSY160P05TL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs25.5nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2150pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)20W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TCPT3
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

750mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

MTP2P50E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1183pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI7655DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6600pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8S

BUK753R8-80E,127

Nexperia

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

169nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12030pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

349W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

IRF2807ZPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 53A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3270pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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공급자 장치 패키지

TO-220AB

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