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RT1E040RPTR

RT1E040RPTR

참조 용

부품 번호 RT1E040RPTR
PNEDA 부품 번호 RT1E040RPTR
설명 MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
제조업체 Rohm Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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RT1E040RPTR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RT1E040RPTR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RT1E040RPTR, RT1E040RPTR 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 625.94 KB)
PDFRT1E040RPTR 데이터 시트 표지
RT1E040RPTR 데이터 시트 페이지 2 RT1E040RPTR 데이터 시트 페이지 3 RT1E040RPTR 데이터 시트 페이지 4 RT1E040RPTR 데이터 시트 페이지 5 RT1E040RPTR 데이터 시트 페이지 6 RT1E040RPTR 데이터 시트 페이지 7 RT1E040RPTR 데이터 시트 페이지 8 RT1E040RPTR 데이터 시트 페이지 9 RT1E040RPTR 데이터 시트 페이지 10 RT1E040RPTR 데이터 시트 페이지 11

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  • RT1E040RPTR Distributor

RT1E040RPTR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1000pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)550mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-TSST
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TUMT6

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

SFT1341-TL-W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

112mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta), 15W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK/TP-FA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF1404ZSTRRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4340pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFR15N20DTRLP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

165mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFZ34STRLPBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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