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RT9624AZQWA

RT9624AZQWA

참조 용

부품 번호 RT9624AZQWA
PNEDA 부품 번호 RT9624AZQWA
설명 IC FET DVR 1CH SYNC BUCK 8WDFN
제조업체 Richtek USA Inc.
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 19 - 2월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RT9624AZQWA 리소스

브랜드 Richtek USA Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RT9624AZQWA
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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RT9624AZQWA 사양

제조업체Richtek USA Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 13.2V
논리 전압-VIL, VIH0.7V, 3.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)15V
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 12ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-WDFN (3x3)

관심을 가질만한 제품

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Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.7V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

85ns, 85ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

IXDI614CI

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

14A, 14A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 18ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-5 Formed Leads

공급자 장치 패키지

TO-220-5

TC4429EOA713

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR2011STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

200V

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LM5112SD

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

3.5V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 7A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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