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S15JC R7G

S15JC R7G

참조 용

부품 번호 S15JC R7G
PNEDA 부품 번호 S15JC-R7G
설명 DIODE GEN PURP 600V 15A DO214AB
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 6,228
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S15JC R7G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S15JC R7G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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S15JC R7G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 15A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F93pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

ACDBA1200-HF

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

HER608-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

65pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

R6, Axial

공급자 장치 패키지

R-6

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SR305HR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MS110/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

830mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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