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S1G-JR3

S1G-JR3

참조 용

부품 번호 S1G-JR3
PNEDA 부품 번호 S1G-JR3
설명 STANDARD RECOVERY RECTIFIER
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,506
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S1G-JR3 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S1G-JR3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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S1G-JR3 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)1.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F12pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

560mV @ 300mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

6µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Powerex Inc.

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-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1800V

전류-평균 정류 (Io)

2500A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3000A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

22µs

전류-역방향 누설 @ Vr

200mA @ 1800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POW-R-BLOK™ Module

공급자 장치 패키지

POW-R-BLOK™ Module

작동 온도-접합

-

BA158GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

65DN06ELEMXPSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8470A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

980mV @ 10000A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100mA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AB, B-PUK

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

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VS-8TQ100STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

720mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

550µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

500pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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