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S1GLHRFG

S1GLHRFG

참조 용

부품 번호 S1GLHRFG
PNEDA 부품 번호 S1GLHRFG
설명 DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,614
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 11 - 2월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S1GLHRFG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S1GLHRFG
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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S1GLHRFG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)1.8µs
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F9pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

HU10260

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

90ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

275pF @ 10V, 1Mhz

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

HALF-PAK

공급자 장치 패키지

HALF-PAK

작동 온도-접합

-

BY255GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1300V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1300V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

RS1KLSHRVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1.2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1.2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123H

공급자 장치 패키지

SOD-123HE

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N3209

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 15A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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