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S1K

S1K

참조 용

부품 번호 S1K
PNEDA 부품 번호 S1K
설명 DIODE GEN PURP 800V 1A SMA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 55,074
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S1K 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S1K
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S1K, S1K 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 320.72 KB)
PDFS1D 데이터 시트 표지
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S1K 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)1.8µs
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F12pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지SMA (DO-214AC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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SMC Diode Solutions

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-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC (DO-214AB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SS22HE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

1PS74SB23,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

25V

전류-평균 정류 (Io)

1A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-TSOP

작동 온도-접합

125°C (Max)

RJS6005TDPP-EJ#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

15A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

15ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP-2L

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

GC50MPS12-247

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

212A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 50A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

3263pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247-2

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B32921C3104M000

B32921C3104M000

TDK-EPCOS

CAP FILM 0.1UF 20% 305VAC RADIAL

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CAP TANT 100UF 10% 20V 2917