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S1KHR3G

S1KHR3G

참조 용

부품 번호 S1KHR3G
PNEDA 부품 번호 S1KHR3G
설명 DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,524
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S1KHR3G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S1KHR3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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S1KHR3G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)1.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F12pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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제조업체

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시리즈

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247

작동 온도-접합

-

MBR8040R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

80A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 80A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

D251K20BXPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2000V

전류-평균 정류 (Io)

255A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

30mA @ 2000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AA, DO-8, Stud

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 180°C

VS-EBU15006HF4

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.63V @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

8µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

PowerTab®

공급자 장치 패키지

PowerTab®

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

MBRH200200

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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