S1PDHM3/84A
참조 용
| 부품 번호 | S1PDHM3/84A |
| PNEDA 부품 번호 | S1PDHM3-84A |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,106 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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S1PDHM3/84A 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | S1PDHM3/84A |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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S1PDHM3/84A 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | eSMP® |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 1A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 1.8µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 6pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-220AA |
| 공급자 장치 패키지 | DO-220AA (SMP) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 395mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 SMA (DO-214AC) 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 890mV @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 25ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 65pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Littelfuse Inc. 시리즈 Gen2 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 45A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 20A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 960pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220-2L 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 430mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123F 공급자 장치 패키지 SOD-123FL 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 800mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 220mV @ 10mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F 170pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-76, SOD-323 공급자 장치 패키지 USC 작동 온도-접합 125°C (Max) |
