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S1Z1SMB5919BT3G

S1Z1SMB5919BT3G

참조 용

부품 번호 S1Z1SMB5919BT3G
PNEDA 부품 번호 S1Z1SMB5919BT3G
설명 DIODE ZENER VREG 5.6V 3W SMB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,120
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S1Z1SMB5919BT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S1Z1SMB5919BT3G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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S1Z1SMB5919BT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지SMB

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전력-최대

410mW

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 35V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

270V

공차

-

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

1 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC

1N5955CPE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

180V

공차

±2%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

900 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 136.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

MAZ41500MF

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±6%

전력-최대

370mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 10V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

DO34-A2

CDLL5931B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

12 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 13.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-213AB

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