S25FS256SDSBHB200
참조 용
| 부품 번호 | S25FS256SDSBHB200 |
| PNEDA 부품 번호 | S25FS256SDSBHB200 |
| 설명 | IC FLASH 256M SPI 80MHZ |
| 제조업체 | Cypress Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,994 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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S25FS256SDSBHB200 리소스
| 브랜드 | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | S25FS256SDSBHB200 |
| 분류 | 반도체 › 메모리 IC › 기억 |
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S25FS256SDSBHB200 사양
| 제조업체 | Cypress Semiconductor Corp |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q100, FS-S |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NOR |
| 메모리 크기 | 256Mb (32M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | SPI - Quad I/O, QPI |
| 시계 주파수 | 80MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 1.7V ~ 2V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 24-TBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 24-BGA (8x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기 48Gb (768M x 64) 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.1V 작동 온도 -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Silicon Motion, Inc. 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 200-VFBGA 공급자 장치 패키지 200-VFBGA (10x14.5) |
제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 35ns 접근 시간 35ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 64-LQFP 공급자 장치 패키지 64-TQFP (14x14) |
