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S26KL512SDABHI030

S26KL512SDABHI030

참조 용

부품 번호 S26KL512SDABHI030
PNEDA 부품 번호 S26KL512SDABHI030
설명 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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S26KL512SDABHI030 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S26KL512SDABHI030
분류반도체메모리 IC기억

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S26KL512SDABHI030 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈HyperFlash™ KL
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간96ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-VBGA
공급자 장치 패키지24-FBGA (6x8)

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

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패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

250kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

MT46V64M8FN-75:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

750ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (10x12.5)

IS43LD32160A-25BLI

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

메모리 크기

512Mb (16M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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