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S29CD016J0PFFM110

S29CD016J0PFFM110

참조 용

부품 번호 S29CD016J0PFFM110
PNEDA 부품 번호 S29CD016J0PFFM110
설명 IC FLASH 16M PARALLEL 80FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,478
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S29CD016J0PFFM110 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S29CD016J0PFFM110
분류반도체메모리 IC기억

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S29CD016J0PFFM110 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈CD-J
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기16Mb (512K x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수66MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지60ns
접근 시간54ns
전압-공급1.65V ~ 2.75V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스80-LBGA
공급자 장치 패키지80-FBGA (13x11)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-WFBGA

공급자 장치 패키지

48-WFBGA (6x4)

AS4C2M32D1A-5BINTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

64Mb (2M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-LFBGA

공급자 장치 패키지

144-LFBGA (12x12)

DS2502P+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

1-Wire®

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.8V ~ 6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)

공급자 장치 패키지

6-TSOC

71V016SA20BF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-LFBGA

공급자 장치 패키지

48-CABGA (7x7)

EM6AA160TSE-4IG

Etron Technology, Inc.

제조업체

Etron Technology, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP II

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