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S29GL256N10FAI013

S29GL256N10FAI013

참조 용

부품 번호 S29GL256N10FAI013
PNEDA 부품 번호 S29GL256N10FAI013
설명 IC GATE NOR
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,794
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S29GL256N10FAI013 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S29GL256N10FAI013
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
S29GL256N10FAI013, S29GL256N10FAI013 데이터 시트 (총 페이지: 92, 크기: 2,021.41 KB)
PDFS29GL256N11TFIV20 데이터 시트 표지
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S29GL256N10FAI013 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

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전압-공급

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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IS43R16320D-6BI

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512M (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TFBGA (13x8)

IS61WV204816ALL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

1.65V ~ 2.2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

2Gb (64M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

208MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14.4ns

접근 시간

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전압-공급

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