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S29WS128N0PBFW010

S29WS128N0PBFW010

참조 용

부품 번호 S29WS128N0PBFW010
PNEDA 부품 번호 S29WS128N0PBFW010
설명 IC MEMORY NOR
제조업체 Cypress Semiconductor
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S29WS128N0PBFW010 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S29WS128N0PBFW010
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
S29WS128N0PBFW010, S29WS128N0PBFW010 데이터 시트 (총 페이지: 79, 크기: 1,777.56 KB)
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S29WS128N0PBFW010 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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63-VFBGA (10.5x13)

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (528 Bytes x 8192 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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IS66WV51216EBLL-70TLI

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

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전압-공급

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Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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44-TSOP II

PC28F064M29EWTA

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

60ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (11x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

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